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國產(chǎn)光刻機重大突破 工信部印發(fā)推廣指導

北京青年報發(fā)布時間:2024-09-19 09:54:41  作者:朱開云

  9月18日,光刻機板塊掀起漲停潮。 張江高科、同飛股份、波長光電、海立股份漲停,新萊應材、富樂德、藍英裝備漲超10%,東方嘉盛、國林科技、京華激光、凱美特氣跟漲。

  消息面上,為促進首臺(套)重大技術裝備創(chuàng)新發(fā)展和推廣應用,加強產(chǎn)業(yè)、財政、金融、科技等國家支持政策的協(xié)同,工信部于9月9日印發(fā)《首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024 年版)》(以下簡稱《目錄》)通知,在文件列表包含國產(chǎn)氟化氪光刻機(110nm),和氟化氬光刻機(65nm)等集成電路關鍵生產(chǎn)設備。

  工信部微信公眾號“工信微報”介紹,重大技術裝備是國之重器,事關綜合國力和國家安全。中國首臺(套)重大技術裝備是指國內(nèi)實現(xiàn)重大技術突破、擁有知識產(chǎn)權、尚未取得明顯市場業(yè)績的裝備產(chǎn)品,包括整機設備、核心系統(tǒng)和關鍵零部件等。

  《目錄》中的電子專用裝備目錄下提到,集成電路生產(chǎn)設備方面包括化氟化氪光刻機,光源248納米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm;氟化氬光刻機,光源193納米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。

  除了光刻機,其他集成電路生產(chǎn)設備還包括硅外延爐、濕法清洗機、氧化爐、涂膠顯影機、高能離子注入機、低能離子注入機、等離子干法刻蝕機、特征金屬膜層刻蝕機、化學氣相沉積設備、物理氣相沉積裝備、化學機械拋光機、激光退火裝備、光學線寬量測裝備等。

  目前來說,光刻機共經(jīng)歷了六代的發(fā)展,從最早的 436nm 波長,再到第二代光刻機開始使用波長 365nm i-line,第三代則是 248nm 的 KrF 激光,第四代就是 193nm 波長的 ArF 光刻機,屬于干式DUV光刻機。第五代是ArFi,即浸沒式DUV光刻機。第六代指的是極紫外EUV光刻機。

  國際方面,9月6日,荷蘭政府宣布,擴大光刻機出口管制范圍至浸沒式深紫外光刻設備。這與美國去年10月更新的先進芯片制造技術出口管制政策進行了“對齊”。此前,荷蘭政府對光刻機的出口限制措施還沒有如此嚴格?,F(xiàn)在,荷蘭政府自己收緊了對光刻機的出口限制——阿斯麥如果要向中國出口TWINSCAN NXT:1970i和1980i型號浸潤式DUV光刻系統(tǒng),需要先向荷蘭政府申請出口許可證。而更先進的極紫外(EUV)光刻機此前早已被完全禁止出口中國。

  中國商務部新聞發(fā)言人9月8日表示,近來,中荷雙方就半導體出口管制問題開展了多層級、多頻次的溝通磋商。荷方在2023年半導體出口管制措施的基礎上,進一步擴大對光刻機的管制范圍,中方對此表示不滿。

  文/北京青年報記者 朱開云



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